طرح گلدوزی 11

طرح گلدوزی با رایانه

شهریار جدید

آنتونیو گرامشی (به ایتالیایی: Antonio Gramsci) (زادهٔ ۲۲ ژانویه ۱۸۹۱ در ساردینیا، ایتالیا - درگذشتهٔ ۲۲ آوریل ۱۹۳۷ در رم، ایتالیا) فیلسوف، انقلابی، و نظریه&zwnj پرداز بزرگ مارکسیست، و از رهبران و بنیان&zwnj گذاران حزب کمونیست ایتالیا بود. گرامشی از تئوریسین&zwnj ها و مبارزان ضدسرمایه&zwnj داری و مفهوم&zwnj پرداز نظریه و اصطلاح مشهور هژمونی (فرادستی/ فرادستی فرهنگی) است.

نت Paco De Lucia

مجموع42 نت های بسیار زیبای فلامنکو از پاکودلوسیا

کتاب مسائل فیزیک کمبریج دندی به همراه راهنمای حل - ویرایش دوم

کتاب مسائل فیزیک کمبریج دندی به همراه راهنمای حل - ویرایش دوم

نویسندگان: Dendy و Tuffnell و Mee

زبان کتاب انگلیسی ساده است.

فایل PDF به صورت اسکن با کیفیت است.

افزایش پنج برابری استقبال بسیجیان از سومین دوره مسابقه "کتاب و زندگی" با محوریت کتاب دختر شینا

سردار عبدالرضا آزادی، معاون فرهنگی، اجتماعی سازمان بسیج مستضعفین در خصوص برگزاری سومین دوره کتابخوانی "کتاب و زندگی" به «نسیم آنلاین» گفت: سومین دوره مسابقه کتابخوانی "کتاب و زندگی" با محوریت کتاب "دختر شینا" با رشد 5 برابری فروش کتاب نسبت به دوره قبل این مسابقه به کار خود پایان داد. وی در ادامه به استقبال بالای جامعه بسیجی کشور از کتاب "دختر شینا" اشاره کرد و افزود: علاوه بر استقبال مناسب اقشار مختلف مردم از مسابقه کتابخوانی "دختر شینا" ، بسیجیان سراسر کشور نیز با خرید بیش از 45 هزار جلد کتاب عنایت ویژه ای نسبت به دور سوم مسابقه "کتاب و زندگی" داشته اند. سردار آزادی خاطرنشان کرد: همزمان با برپایی مسابقه سراسری کتاب "دختر شینا" به همت مجمع ناشران انقلاب اسلامی و با همکاری سازمان بسیج مستضعفین، این سازمان اقدام به برپایی بیش از بیست مسابقه داخلی در رده های مختلف بسیج کرد. وی ادامه داد: در راستای معرفی بیشتر کتاب "دختر شینا" که در حقیقت معرف سبک زندگی اسلامی است به جامعه بسیجیان کشور، زوایای مختلف این کتاب در جلسات روشنگری بسیج، همایش‌ها و برنامه‌‌های گوناگون به بسیجیان معرفی شد، همچنین جهت آشنایی ائمه جمعه به دفاتر ائمه جمعه سراسر کشور ارسال شد و در اغلب نماز جمعه ها، توسط ستاد نماز جمعه به مخاطبان معرفی شد. وی در پایان تصریح کرد: با هماهنگی های صورت گرفته، تیزر مسابقه کتابخوانی "دخترشینا" در اغلب شبکه های استانی پخش شد و استان های آذربایجان غربی، اصفهان، بوشهر، سمنان، فارس، قم، مرکزی و همدان نقش پررنگ تری در معرفی این مسابقه در استان های خود داشته اند. لینک خبر

دانلود پایان نامه ساختارهای دورآلاییده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­ یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­ گیرد اگر لایه­ های مجاور با ناخالصی­ های نوع p آلاییده شده باشند حفره­ های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­ روند و تشکیل گاز حفره­ ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­ دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­ های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­ های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­ پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­ یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­ دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ ای قابل کنترل می­ باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­ گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمی­ پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­ دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­ کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم .

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده1
مقدمه 2
1-1 نیمه رسانا3
1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم4
1-3 جرم موثر4
1-4 نیمه رسانای ذاتی6
1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش7
1-6 نیمه رساناهای Si و Ge 10
1-7 رشد بلور 13
1-7-1 رشد حجمی بلور15
1-7-2 رشد رونشستی مواد15
1-7-3 رونشستی فاز مایع 16
1-7-4 رونشستی فاز بخار18
1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی 19
1-8 ساختارهای ناهمگون20
1-9 توزیع حالت&zwnj های انرژی الکترون&zwnj ها در چاه کوانتومی21
1-10 انواع آلایش23
1-10-1 آلایش کپه¬ ای24
1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)24
1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی 25
1-10-4 گاز حفره¬ ای دوبعدی26
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده 27
1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به¬ ¬ لحاظ ترتیب رشد لایه¬ ها 27
1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )28
1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه¬ دار29
1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده33
1-12-1 JFET33
1-12-2 MESFET 34
1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون 35
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)38
مقدمه 39
2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی 41
2-2 لایه تهی 44
2-3 اثر شاتکی 47
2-4 مشخصه ارتفاع سد51
2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد51
2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد57
2-4-3 اندازه گیری جریان &ndash ولتاژ57
2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی60
2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت60
2-4-6 تنظیم ارتفاع سد 62
2-4-7 کاهش سد 62
2-4-8 افزایش سد63
2-5 اتصالات یکسوساز . 64
2-6 سدهای شاتکی نمونه 64
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده66
مقدمه67
3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si .68
3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si69
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده.71
3-3-1 آلایش مدوله شده ایده¬ آل71
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها 74
3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره¬ ای 74
3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها 76
3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها 77
3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها78
3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده 79
3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا 79
3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا82
3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ¬ حفره¬ ها 83
3-8 ملاحظات تابع موج.86
3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه87
3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه¬ دار87
فصل چهارم : نتایج محاسبات 89
مقدمه90
4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si 91
4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls 91
4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA 96
4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc 99
4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls 100
4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه¬ دار Si/SiGe/Si 100
4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg 100
4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت 107
4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی114
فصل پنجم : نتایج 124
5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si 125
5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه 125
پیوست 129
چکیده انگلیسی (Abstract) 139
منابع141

شامل 150 صفحه فایل word

پروژه کارآفرینی پرورش قارچ در قالب ورد 11 صفحه

مقدمه :

مواد پروتئینی ، یکی از مهم ترین اجزای مواد غذایی مورد استفاده انسانها است. نیاز طبیعی بدن انسان به این مواد ، مبین ضرورت استفاده آنها در سبد غذایی خانواده ها است. از دیرباز انواع گوشت ها، خصوصا گوشت قرمز منبع اصلی تامین پروتئین موردنیاز انسان بوده است.لکن در حال حاضر ، به واسطه تغییر روش زندگی از سنتی به ماشینی و کاهش تحرک افراد در زندگی روزمره ، استفاده از گوشت قرمز بدلیل دارا بودن مقدار زیادی مواد چرب رو به کاهش نهاده و در عوض، استفاده از مواد غذایی ای که با داشتن مقدار کافی پروتئین، برای سلامتی زیان آور نباشند مورد توجه واقع شده است. حبوبات ، سویا و قارچ خوراکی مهم ترین منابع پروتئین غیر حیوانی هستند که امروزه به طور وسیع مصرف می شوند

دانلود یازده نکاتی مهم در مورد فلش گوشیها ی نوکیا با لینک مستقیم

موضوع :

دانلود یازده نکاتی مهم در مورد فلش گوشیها ی نوکیا با لینک مستقیم

مقاله فرآیندهای جوشکاری «مقاومتی» Resistance Welding

فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:31

فهرست مطالب:

مقدمه و کلیات ۴
فر آیند جوشکاری « مقاومتی نقطه ای» Resistance Spot Welding 13
الکترود و اندازه دکمه جوش ۱۳
تشکیل دکمه جوش Nugget formation 16
دستگاه جوش مقاومتی نقطه ای ۱۸
اصلاحات و بهسازی در روش جوشکاری مقاومتی نقطه ای ۲۲
الف : جوش با الکترودهای چند تایی Multiple _ Electrode 23
ب : جوش دکمه ای یا دیسکی Button or disc welding 23
ج : جوش &ldquo پل واره&rdquo Bridge welding 24
د : &ldquo له کردنی &rdquo Mash welding 24
ح : فرآیند جوشکاری &ldquo کوک&rdquo Stich welding 24
و : جوش &ldquo پیش طرحی&rdquo Projection welding 25
جوشکاری مقاومتی &ldquo غلطکی &rdquo یا نواری Seam welding 26
الف : جوشکاری لب به لب لوله ها Resistance Butt Seam Welding 29
ب : روش جوشکاری مقاومتی با فرکانس بالا High-frequency resistance welding : 29
ج : فرآیند جوشکاری فرکانس بالای القائی High-frequency induction welding 31
فرآیند جوش جرقه ای Flash welding 31
فرآیند جوش سر به سر Upset welding 32
فرآیند جوش&ldquo تصادمی&rdquo الکتریکی Elecrto &ndash precussion welding 33
نکات ایمنی در جوشکاری و برشکاری Safety in welding & cutting 33

مقدمه و کلیات :

فرآیندهای جوشکاری مقاومتی با فرآیندهای قبلی تفاوت کلی دارد .اتصال دو سطح توسط حرارت و فشار توأماً انجام می گیرد .فلزات به دلیل مقاومت الکتریکی در اثر عبور جریان الکتریکی گرم شده و حتی به حالت مذاب نیز می رسند که طبق قانون ژول حرارت حاصل با رابطه زیر تعیین می شود .Q=KRI2t

=I شدت جریان( آمپر) ، R مقاومت( اهم)، t زمان( ثانیه) وQ ،حرارت (ژول ).

فرآیندهای قوس الکتریکی حرارت در روی کار بوسیله هدایت و تشعشع توزیع می شود اما در فرآیندهای جوشکاری مقاومتی حرارت در عرض داخلی و سطح مشترک دو ورق در موضع اتصال در اثر عبور جریان الکتریکی تولید و منتشر می شود . جریان الکتریکی مذکور از طریق الکترودها و تماس آنها به سطح کار منتقل و یا از طریق ایجاد حوزه مغناطیسی احاطه شده در اطراف کا به قطعه القاء می شود . هر چند هر دو روش بر اساس حرارت مقاومتی پایه گذاری شده است اما معمولاً نوع اول فرآیند جوشکاری مقاومتی و دومی به فرآیند جوشکاری القائی نیز مرسوم شده است .

فاکتورهای شدت جریان و زمان از طریق دستگاه جوش قابل کنترل هستند ، اما مقاومت الکتریکی به عوامل مختلف بستگی دارد از جمله : جنس و ضخامت قطعه کار ، فشار بین الکترودها ، اندازه و فرم و جنس الکترودها و چگونگی سطح کار یعنی صافی و تمیزی آن .

.مقاومت ۳ مقاومت تماس بین دو ورق مهمترین قسمت است. فلزات دارای مقاومت الکتریکی کم بوده بالنتیجه مقاومتهای ۱و۳و۵ اهمیت بیشتری پیدا می کنند . مقاومتهای ۲و۴ بستگی به ضریب مقاومت الکتریکی و درجه حرارت قطعه کار دارد .مقاومتهای ۱ و ۵ ناخواسته بوده و باید حتی المقدور آنرا کاهش داد . تمیزی سطح کار و الکترود و نیروی فشاری وارد بر الکترود عوامل تقلیل دهنده این مقاومتها (۱و۵) می باشند .

از نظر اقتصادی لازم است که فاکتور زمان حتی المقدور کاهش یابد . که در نتیجه جریان الکتریکی لحظه ای بالا در حدود ۱۰۰۰۰ &ndash ۳۰۰۰ آمپر با ولتاژ ۱۰ &ndash ۵/۰ ولت مورد نیاز است . انواع مختلف روش های جوشکاری مقاومتی به روش ایجاد مقاومت موضعی بالا و تمرکز حرارت در نقطه مورد نظر ارتباط دارد ، ولی به هر حال تماس فیزیکی بین الکترودهای ناقل جریان الکتریکی و قسمت هایی که باید متصل شوند نیز مورد نیاز است . بطور کلی فرآیندهای جوشکاری مقاومتی یکی از بهترین روش ها برای اتصالات سری است .

دستگاههای جوشکاری مقاومتی شامل دو واحد کلی است : واحد الکتریکی (حرارتی) واحد فشاری(مکانیکی) . اولی باعث بالا بردن درجه حرارت موضع مورد جوش و دومی سبب ایجاد فشار لازم برای اتصال دو قطعه لب رویهم در محل جوش است .

منبع معمولی تأمین انرژی الکتریکی ، جریان متناوب ۲۲۰ یا۲۵۰ ولت است که برای پائین آوردن ولتاژ و افزایش شدت جریان (به مقدار مورد لزوم برای جوشکاری مقاومتی) از ترانسفورماتور استفاده می شود .که سیم پیچ اولیه با سیم نازکتر و دور بیشتر و ثانویه با سیم کلفتر و دور کمتر (اغلب یک دور ) به الکترودها متصل است.

جریان الکتریکی از طریق دو الکترود (فک ها) به قطعه کار و موضع جوش هدایت می شود که معمولاً الکترود پائین ثابت و بالایی متحرک است .الکترود همانند گیره یا فک ها دو قطعه را دروضعیت لازم گرفته و جریان الکتریکی برای لحظه معین عبور می کند که سبب ایجاد حرارت موضعی زیر دو الکترود در سطح مشترک دو ورق می شود. جریان الکتریکی در سطح تماس باعث ذوب منطقه کوچکی از دو سطح شده و پس از قطع جریان و اعمال فشار معین و انجماد آن ، دو قطعه به یکدیگر متصل می شوند .

الکترود در فرآیند های مختلف مقاومتی می تواند به اشکال گوناگونی باشد که دارای چندین نقش است از جمله : هدایت جریان الکتریکی به موضع اتصال ، نگهداری ورقها بر رویهم و ایجاد فشار لازم در موضع مورد نظر و تمرکز سریع حرارت در موضع اتصال الکترود باید دارای قابلیت هدایت الکتریکی و حرارتی بالا و مقاومت « اتصالی» یا تماسی (contact resistance) کم و استحکام و سختی خوب باشد ،علاوه بر آن این خواص را تحت فشار و درجه حرارت نسبتاً بالا ضمن کار نیز حفظ کند .ازاین جهت الکترود ها را از مواد آلیاژی مخصوص تهیه می کنند که تحت مشخصه یا کد RWMA به دو گروه A آلیاژهای مس و B فلزات دیر گدار تقسیم بندی می شوند ، در جدول (۱۰۰۱) و (۱۱۰۱) مشخصات این دو گروه درج شده است .

مهمترین آلیاژهای الکترود مس ـکرم ، مس ـ کادمیم ، و یا برلیم ـکبالت ـ مس می باشد .این آلیاژها دارای سختی بالا و نقطه انیل شدن بالائی هستند تا در درجه حرارت بالا پس از مدتی نرم نشوند ، چون تغییر فرم آنها سبب تغییر سطح مشترک الکترود با کار می شود که ایجاد اشکالاتی می کند که در دنباله این بخش اشاره خواهد شد .

مقاله قابلیت جوش پذیری و جوشکاری مس و آلیاژهای آن

فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:35

فهرست مطالب:

قابلیت جوش پذیری و جوشکاری مس و آلیاژهای آن ۵
بررسی حلالیت گازها در مس و آلیاژهای آن ۶
- حلالیت اکسیژن ۶
حلالیت هیدروژن ۸
- حلالیت سایر گازها ۱۰
تأثیرات عناصر آلیاژی بر خواص جوش پذیری مس ۱۰
عناصر افزودنی برای بهبود قابلیت ماشینکاری مثل سرب، گوگرد و تلوریم ۱۰
روی ۱۰
قلع ۱۰
بریلیوم، آلومینیوم و نیکل ۱۱
سیلیسیم ۱۳
فسفر ۱۳
لیتیم ۱۴
کادمیم ۱۴
کرم ۱۴
آهن و منگنز ۱۴
بیسموت ۱۵
ارسنیک ۱۵
طلا و پلاتین ۱۵
عوامل مؤثر بر جوش پذیری مس و آلیاژهای آن ۱۵
هدایت حرارتی (Thermal Conductivity) 15
طرح اتصال (Joint design) 19
پیشگرم کردن ۲۰
وضعیت جوشکاری ۲۱
ضخامت قطعه کار (Thikness) 21
آلیاژهای سخت و رسوب ناخالصی ها یا عناثر آلیاژی سخت کننده ۲۲
ترک های داغ ۲۲
خلل و فرج (Porosity) 22
شرایط و وضعیت سطحی قطعه کار (Surface Condition) 23
جوشکاری قوسی دستی ۲۳
جوشکاری تیگ ۲۳
جوشکاری میگ ۲۴
جوش پذیری و جوشکاری مس بدون اکسیژن و مس خالص چقرمه الکترولیتی ۲۴
جوش پذیری و جوشکاری آلیاژهای مس- برلیوم با استحکام بالا ۳۰
جوش پذیری و جوشکاری آلیاژهای مس- کرم و مس- کادمیم ۳۱
جوش پذیری و جوشکاری آلیاژهای برنج ۳۱
جوش پذیری و جوشکاری آلیاژهای آلومینیوم- برنز ۳۳
جوش پذیری و جوشکاری آلیاژهای مس- نیکل (Copper Nickel weldability) 36

قابلیت جوش پذیری و جوشکاری مس و آلیاژهای آن

مس، اولین فلزی است که توسط انسان مورد استفاده قرار گرفت. پنج هزار سال پیش، یونانی ها و رومیان باستان، آن را از جزیره قبرس کنونی استخراج می کردند. یونانیان آن را به نام کالکو (Chalco) و رومیان به نام آیس (Aes) می شناختند و چون از جزیره قبرس استخراج می شد آن را آیس سیپریم (Cypirum) نامیدند. بعداً در زبان های مختلف اروپایی ، به دلیل تلفظ های متفاوت کلمه، سپیریم شکل های متفاوتی به خود گرفت، به طوری که امروز در انگلیسی آن را کوپر (Copper) و درآلمانی (Kupfer) و در فرانسه (&zwj Cuivre) می نامند.

این فلز، به دلیل سختی توأم با انعطاف پذیری، هدایت حرارتی و الکتریکی بالا، قبول عملیات مکانیکی گوناگون، شکل پذیری فوق العاده ، مقاومت در برابر خوردگی، رنگ های زیبا، غیرمغناطیسی بودن، قابلیت ریخته گری مناسب، لحیم کاری نرم و سخت، جوش پذیری، غیر سمی بودن، &hellip . و نیز امکان تهیه آلیاژهای گوناگون در کنار سایر فلزات، به یک عنصر بسیار مفید و غیر قابل چشم پوشی در صنایع بشری آمده است.

مس با جرم اتمی ۵۴/۶۳ و ساختار (FCC) در ^۰c1083 ذوب می شود. این عنصر، به دلایل متالورژیکی، به عنوان حلال ترین فلز شناخته شده و به غیر از سرب، تقریباً کلیه عناصر با آن، قابلیت انحلال دارند.

از نظر شیمیایی، مس از فلزات نجیب به شمار آمده و در جدول تانسیون، پس از نقره قرار دارد. مس در مجاورت هوا و رطوبت، از یک قشر نازک اکسید مس که مخلوطی از CuO و Cu₂O است پوشیده می شود. این قشر نازک، بقیه فلز را از اکسیده شدن محافظت می کند. اگر این اکسیدها مدت زیادی در مجاورت هوا قرار گیرند و یا سطح مس به شدت اکسیده شود، رنگ مایل به سیاه، آن ، به تدریج به رنگ سبز که مخلوطی از سولفات و یا کلرورهای قلیایی است تبدیل می شود که آن را زنگار (Patina) می گویند. هوای محیط، در تشکیل این ترکیبات بسیار مؤثر است. به طوری که اکثراً در نواحی صنعتی، ترکیبات سولفات به فرمول ۳Cu(OH)₂ و CuSo₄ و در مجاورت دریاها ترکیبات کلروری مثل ۳Cu(OH)₂ و CuCl₂ به وجود می آید.

مس مذاب، قابلیت انحلال شدیدی برای گازهای مختلف دارد و این پدیده، هنگام انجماد به سرعت کاهش می یابد. مقدار حل شدن گازها در مس، به درجه حرارت و فشار جزیی گازها در محیط خارج بستگی دارد.

گازها در مس بیشتر به صورت بیشتر به صورت اتمی حل می شوند. مقدار حلالیت گازها را می توان به صورت رابطه نمایش داد که در آن C مقدار گاز حل شده بر حسب سانتی متر مکعب در هر ۱۰۰ گرم فلز مس بوده، P فشار جزئی گاز در محیط خارج و K ضریب ثابتی است که به درجه حرارت بستگی دارد. با توجه به رابطه بالا می توان نتیجه گرفت که افزایش دما با افزایش K و در نتیجه افزایش مقدار گاز حل شده مذاب رابطه مستقیم دارد.

بررسی حلالیت گازها در مس و آلیاژهای آن

گازهایی مثل اکسیژن، هیدروژن و &hellip در مس قابل حل بوده و تأثیراتی بر آن می گذارد و که بدین قرار است :

- حلالیت اکسیژن

اکسیژن، به صورت اتمی در درجه حرارت اوتکتیک ۱۰۶۵ درجه سانیتگراد حدود ۰۰۹/۰ درصد و درجه حرارت محیط حدود ۰۰۲/۰ درصد در مس قابل حل است. در صورتی که مقدار اکسیژن، این حدود باشد، با مس وارد ترکیب شده و اتکتیکی به صورت Cu-Cu₂O با حدود ۳۹/۰ درصد اکسیژن تشکیل می دهد.